一、設備簡介

1.預備室:可同時裝納10片鍍膜夾具(最多每膜4片載盤)。
2.真空槽:準備室，濺射室，基板加熱絲，溫度探頭，載盤移動機構，真空排氣機構，濺射室內部防護板，陰極防護板(Cr，Ar用)，擴散防護板(Cr，Ar用)。
3.濺射系統:陰極電極(外置式磁控陰極)，DC電源，DC電源切換器。
靶材尺寸(壓條式):
126mm*178mm*6mm(低效靶材)
126mm*178mm*7mm（高效靶材）
4.基板加熱系統:準備室:鹵素燈加熱1KW-1.5KW，濺射室:脫氣加熱功能。
5.基板加熱能力:150度。
6.具備電清洗DC轟擊功能。
7.節拍,傳輸速度:鍍膜時 1-75mm/s(根據提供膜厚可進行設定)
循環節拍:
使用測試搬運模式,測定各貨架成膜后返回到貨架柜的時間，將該時間作為貨架間的1個時間周期。4分30秒/循環（1膜）
設定條件:
01:Cr濺射搬運速度 30 mm/sec
02:Ag濺射搬運速度5mm/sec
03:移動速度75 mm/sec                           
二、設備特點
本設備由準備室，預備室 ，濺鍍室，抽真空系統，濺射鍍膜系統，基板加熱裝置構成。準備室：可同時裝納10組鍍膜夾具（每膜3-4片Mask載盤）。預備室對基板加熱能力達到150度，濺鍍室：含陰極電極（Cr，Ag用）2片/陰極，DC電源，DC電源切換器，真空系統：渦輪分子泵; 2 套，施轉式油泵; 2 套組成。具備氬離子電轟擊功能。
三、設備參數(通用型)